Q86.
鍺晶體之電流增益受溫度影響較矽晶體為
視聽電子 · 甲級 · 無線電學 · Q86
難易度分析
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此題屬於單一選項判別型試題，主要檢驗對特定材料基本特性之記憶與識別能力。題目表述明確，直接要求比較參數受環境變數影響之幅度，未設置具有高度混淆性的相似選項，亦不需進行數據運算或多層次邏輯推演。整體結構偏向基礎知識的直接檢核，考生只要具備該科目之核心教材閱讀量，即可透過直接對照完成作答。
正確答案：①大
① 大:鍺(Ge)晶體的能隙約為 0.67 eV，遠小於矽(Si)晶體的 1.12 eV，因此溫度變化時本質載子濃度變化更劇烈，導致電流增益(β值)受溫度影響幅度更大。
錯誤選項解析
- ② 小:此說法與事實相反。由於鍺的能隙較小，其漏電流(ICBO)隨溫度上升的速率比矽更快，故電流增益受溫度影響應較大而非較小。
- ③ 一樣:鍺與矽的半導體能隙不同，溫度係數存在顯著差異，兩者電流增益對溫度的敏感度並不相同。
- ④ 無從比較:此比較有明確的物理依據，可從能隙寬度與載子濃度溫度特性進行定量分析，並非無法比較。
Learning Tip
"能隙(Energy Bandgap)是決定半導體元件溫度穩定性的核心因素。常考陷阱為混淆「鍺導通電壓較低(約0.2V)」與「溫度穩定性較差」的關係。實務上矽元件因熱穩定性佳且氧化層特性好，已取代鍺成為主流；但鍺元件在高頻低雜訊應用仍有其價值。"
學員答題分佈
①大0%
②小0%
③一樣0%
④無從比較0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！
