Q20.
下列對蕭基位障二極體(Schottky barrier diode，SBD)之描述何者為錯誤？
儀表電子 · 甲級 · 零組件知識 · Q20
難易度分析
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此題為單選，考查對蕭基位障二極體特性及材料選擇的基本知識，選項簡單直接，無多重推理或計算需求。
正確答案：④僅由砷化鎵(GaAs)製成
④ 僅由砷化鎵(GaAs)製成:蕭基位障二極體可由多種半導體材料製成，包含矽（Si）、砷化鎵（GaAs）及碳化矽（SiC）等，並非僅限於砷化鎵。其中SiC蕭基二極體更因高耐壓特性廣泛用於高功率電源應用。
錯誤選項解析
- ① 電流由電子傳導:蕭基位障二極體屬於多數載子元件，其電流傳導機制僅依賴電子（n型半導體中）穿過金屬-半導體接面，不存在少數載子的擴散與復合過程。
- ② 交換速度比PN 接面二極體快:由於蕭基二極體無少數載子儲存效應，因此無反向恢復時間（reverse recovery time）的限制，其切換速度顯著快於依賴少數載子擴散的PN接面二極體。
- ③ 順偏壓降會比PN 接面二極體低:蕭基位障二極體的順向導通電壓約為0.2~0.3V，明顯低於一般矽PN接面二極體的0.6~0.7V，此特性使其廣泛應用於低壓降整流電路。
Learning Tip
"本題考點為蕭基位障二極體與PN接面二極體之特性比較。常考陷阱包含：(1) 蕭基二極體為多數載子元件，無少數載子儲存問題；(2) 其順向壓降低但漏電流較大；(3) 製程材料不限於單一半導體，Si、GaAs、SiC均可製作。實務上需注意SiC蕭基二極體在高頻開關電源中的應用日益廣泛。"
學員答題分佈
①電流由電子傳導0%
②交換速度比PN 接面二極體快0%
③順偏壓降會比PN 接面二極體低0%
④僅由砷化鎵(GaAs)製成0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！