Q81.
下圖為一放大電路，依據特性表上記載，Q 的VG S=5V，VG S(TH )=2V 時，ID (ON)=180mA。可算出下圖電路的ID 為
數位電子 · 甲級 · 電子學與電子電路 · Q81
難易度分析
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題目考查 E-MOSFET 的轉移特性方程與電壓分壓計算，需要先由給定的 ID(ON) 推算 k，再用分壓計算實際 VGS，最後套用平方律求 ID。雖需要步驟連結，但概念與計算均屬基礎範疇，難度適中。
正確答案：②80mA
② 80mA:80mA 為正確答案。由分壓電路得 VG = 20V × 10K/(40K+10K) = 4V，即 VGS = 4V。先求 k = ID(ON)/(VGS-VGS(TH))² = 180mA/(5-2)² = 20mA/V²，再代入 ID = 20×(4-2)² = 80mA。
錯誤選項解析
- ① 60mA:60mA 計算錯誤。此值未正確應用 E-MOSFET 平方律公式 ID = k(VGS - VGS(TH))²，可能是誤用了錯誤的 VGS 值或 k 值。
- ③ 100mA:100mA 計算錯誤。此值可能誤將 VGS 當作 5V（特性表測試條件）而非實際電路的 4V 來計算，忽略了分壓偏壓電路的實際工作點。
- ④ 120mA:120mA 計算錯誤。此值與正確計算結果差距過大，可能是誤用了 ID(ON) = 180mA 直接按比例估算，未正確套用 E-MOSFET 轉移特性方程式。
Learning Tip
"本題核心考點為 E-MOSFET 偏壓電路分析 與 平方律轉移特性。常見陷阱：(1) 混淆特性表上的測試條件 VGS=5V 與電路實際 VGS（由 R1、R2 分壓決定）；(2) 忘記先由 ID(ON) 反求 k 值；(3) 誤用 D-MOSFET 或 JFET 公式。切記 E-MOSFET 的 ID = k(VGS - VGS(TH))²，且 VGS 必須大於 VGS(TH) 才能導通。"
學員答題分佈
①60mA0%
②80mA0%
③100mA0%
④120mA0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！
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