Q13.
場效電晶體FET 較電晶體之輸入阻抗
視聽電子 · 乙級 · 電子學 · Q13
難易度分析
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此題旨在測試對不同類型電晶體控制機制及其對輸入阻抗影響的基礎認知。問題結構簡單，屬於單一概念的直接辨析，難度在於是否能準確區分電壓控制元件與電流控制元件在物理結構上的基本特性差異。
正確答案：②高
② 高:FET 屬於電壓控制元件，其閘極輸入端幾乎不消耗電流（MOSFET 輸入阻抗可達 10⁹~10¹⁵ Ω），而 BJT 為電流控制元件，基極需注入偏壓電流，輸入阻抗僅約數 kΩ，因此 FET 的輸入阻抗遠高於 BJT。
錯誤選項解析
- ① 低:FET 的輸入阻抗實際上遠高於 BJT（雙載子電晶體），因為 FET 的閘極與通道之間是絕緣或反向偏壓的接面，幾乎不吸取輸入電流。
- ③ 不一定:FET 輸入阻抗高於 BJT 是明確的元件物理特性，並非不確定。兩者的阻抗差異來自控制機制（電壓控制 vs 電流控制）的根本差異。
- ④ 依輸出阻抗之高低而定:輸入阻抗取決於元件本身的輸入端結構（閘極絕緣層或接面偏壓狀態），與輸出阻抗無關。FET 的高輸入阻抗是其固有特性。
Learning Tip
"本題核心考點為 FET 與 BJT 的輸入阻抗比較。切記：FET = 電壓控制 → 高輸入阻抗，BJT = 電流控制 → 低輸入阻抗。常見混淆為將 FET 的「高輸入阻抗」與「高輸出阻抗」搞混，實務上 FET 常用於阻抗匹配與緩衝放大器，正是利用其高輸入阻抗特性來減少對前級電路的負載效應。"
學員答題分佈
①低0%
②高0%
③不一定0%
④依輸出阻抗之高低而定0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！