Q78.
電晶體的集、基極間之分佈電容主要會
視聽電子 · 乙級 · 電子學 · Q78
難易度分析
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此題考查電晶體寄生電容對頻率響應的影響特性。需區分電晶體在不同頻段下的主要影響因素，特別是針對特定分佈電容如何透過密勒效應作用於輸入端的等效電容，進而導致特定頻率範圍內的增益變化。由於考點屬於電子電路基礎理論的直接應用，故難度設定為較低水準。
正確答案：①降低高頻增益
① 降低高頻增益:集基極間分佈電容（Cμ）會在高頻時形成密勒效應（Miller Effect），等效輸入電容增大，導致高頻增益下降，此為限制電晶體高頻響應的主因。
錯誤選項解析
- ② 降低低頻增益:低頻時分佈電容的容抗極大（Xc = 1/2πfC），近似開路狀態，對低頻增益幾乎無影響；低頻增益主要由耦合電容與旁路電容決定。
- ③ 與增益無關:分佈電容與增益密切相關，其透過密勒倍增效應會顯著影響高頻增益滾降（roll-off），並決定電晶體的截止頻率（fT）。
- ④ 可提高增益:分佈電容為寄生元件，只會造成信號衰減與相位偏移，無法提高增益；若需提升增益應採用串級放大或阻抗匹配技術。
Learning Tip
"密勒效應為電子學高頻響應的常考核心，需熟記 Cin = Cπ + (1 + |Av|)Cμ 公式。注意區分：低頻響應受耦合/旁路電容影響，高頻響應受分佈/寄生電容主導，兩者頻段效應不可混淆。"
學員答題分佈
①降低高頻增益0%
②降低低頻增益0%
③與增益無關0%
④可提高增益0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！