Q256.
下列何種半導體元件具有負電阻特性？
視聽電子 · 乙級 · 電子學 · Q256
難易度分析
4 / 5
由於本題為複選題，考生必須針對各個元件的 V-I 特性曲線進行精確判別。題目涉及多種半導體元件的物理特性，其中包含對特定元件崩潰特性與負電阻特性之細微差異的辨識，需具備扎實的元件原理知識才能避免誤選。
正確答案 (複選)：①, ②, ④
- ① PUT:PUT（可程式化單接合體電晶體）在觸發導通後，其 V-I 特性曲線會呈現電壓隨電流增加而下降的負電阻區域，此特性使其可用於弛張振盪器與觸發電路。
- ② UJT:UJT（單接合體電晶體）的射極特性曲線在峰點（Vp）與谷點（Vv）之間具有明顯的負電阻區，這是 UJT 最核心的工作原理，廣泛應用於定時電路與SCR 觸發電路。
- ④ 透納二極體:透納二極體（Tunnel Diode）基於量子穿隧效應，在正向偏壓時會產生一段電流隨電壓上升而下降的負電阻區，常用於高頻振盪器與微波電路。
錯誤選項解析
- ③ 稽納二極體:稽納二極體（Zener Diode）利用崩潰效應進行穩壓，其特性為在崩潰區電壓維持恆定，但不具備負電阻特性；其 V-I 曲線在崩潰區仍為正斜率，與負電阻的定義不符。
Learning Tip
"本題核心考點為負電阻特性的辨識。具備負電阻的元件包含 UJT、PUT、透納二極體，三者的負電阻成因各不相同：UJT/PUT 源於雙基極結構的內部電壓分配，透納二極體則源於量子穿隧效應。常考陷阱是將稽納二極體的崩潰穩壓特性誤認為負電阻，兩者物理機制完全不同。實務上，負電阻元件主要應用於振盪電路與脈衝產生電路。"
學員答題分佈
①PUT0%
②UJT0%
③稽納二極體0%
④透納二極體0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！
