Q194.
有關場效應電晶體，下列敘述那些正確？
升降機裝修 · 乙級 · 電機部份 · Q194
難易度分析
4 / 5
本題為複選題型，要求考生對多項核心概念進行全面判別。題目在選項中設置了關鍵術語的對比陷阱，且需區分單極性與雙極性電晶體的本質差異，因此對知識的精確度要求較高。
正確答案 (複選)：①, ③, ④
- ① 場效應電晶體(Field-Effect Transistor)簡稱FET:場效應電晶體的英文全稱為 Field-Effect Transistor，業界與學術上均簡稱為 FET，此為標準命名。
- ③ 通道中電流是由單一多數載子(電子或電洞)所組成:FET 的通道電流僅由多數載子（N 型為電子、P 型為電洞）單一載子參與導電，與 BJT 的雙載子（電子與電洞同時參與）機制不同。
- ④ 場效應電晶體又稱為單極性電晶體(Unipolar Transistor):因 FET 僅依賴單一極性載子導電，故又稱為單極性電晶體 (Unipolar Transistor)，此為其與雙極性電晶體 (BJT) 的核心區別。
錯誤選項解析
- ② 利用外加的順向電壓來改變PN 接面空乏區寬度的大小，以改變通道的寬窄，進而控制流過通道的電流大小:FET 是利用外加的逆向電壓（非順向電壓）來改變 PN 接面空乏區寬度，進而控制通道導電性。此處「順向電壓」為錯誤敘述，正確應為逆向偏壓操作。
Learning Tip
"本題常考陷阱在於混淆 FET 的偏壓條件：JFET 操作時閘極需施加逆向偏壓以控制空乏區大小，而非順向偏壓。另外需清楚區分 FET（單極性、電壓控制元件） 與 BJT（雙極性、電流控制元件） 的導電機制差異，此為電機類檢定高頻考點。"
學員答題分佈
①場效應電晶體(Field-Effect Transistor)簡稱FET0%
②利用外加的順向電壓來改變PN 接面空乏區寬度的大小，以改變通道的寬窄，進而控制流過通道的電流大小0%
③通道中電流是由單一多數載子(電子或電洞)所組成0%
④場效應電晶體又稱為單極性電晶體(Unipolar Transistor)0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！