Q215.
NPN 型電晶體位於順向主動區(工作區)時，下列敘述那些正確？
升降機裝修 · 乙級 · 電機部份 · Q215
難易度分析
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本題採取複選形式，要求考生不僅要理解電晶體主動區的定義，還需將接面偏壓狀態精確轉化為三個電極之間的電壓高低邏輯關係，必須全面判定所有選項的正確性才能得分。
正確答案 (複選)：①, ②, ④
- ① 基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為逆向偏壓:NPN 電晶體在順向主動區的定義條件即為基-射極接面（BE 接面）順向偏壓使載子注入，同時基-集極接面（BC 接面）逆向偏壓以收集載子，此為電晶體放大作用的基本偏壓配置。
- ② 射極電壓小於基極電壓:由於BE 接面順向偏壓，基極電位必須高於射極電位（矽晶體約需 0.6~0.7V 的順向導通電壓），因此射極電壓小於基極電壓為必然結果。
- ④ 對於射極電壓、基極電壓和集極電壓，射極電壓最小:綜合偏壓條件可知三者電位關係為 V_C > V_B > V_E，因此射極電壓為三者中最小，此為 NPN 電晶體工作於主動放大區時的標準電位分佈。
錯誤選項解析
- ③ 集極電壓小於基極電壓:此敘述錯誤。在順向主動區下BC 接面為逆向偏壓，代表集極電位必須高於基極電位（V_C > V_B），而非集極電壓小於基極電壓。正確關係應為集極電壓大於基極電壓。
Learning Tip
"此類題型常考電晶體三工作區域（截止區、主動區、飽和區）的偏壓條件差異。關鍵在於記住：主動區為BE 順向、BC 逆向；飽和區為BE 順向、BC 順向；截止區為BE 逆向、BC 逆向。實務上電晶體偏壓設定錯誤會導致訊號失真或開關功能異常，檢定中易混淆主動區與飽和區的電壓關係，需特別注意 V_C 與 V_B 的相對大小。"
學員答題分佈
①基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為逆向偏壓0%
②射極電壓小於基極電壓0%
③集極電壓小於基極電壓0%
④對於射極電壓、基極電壓和集極電壓，射極電壓最小0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！