Q34.
標示為28V 的稽納二極體，其內部崩潰機制為下列何者？
儀表電子 · 乙級 · 零組件知識 · Q34
難易度分析
3 / 5
本題要求考生能精確區分不同電壓數值下，二極體內部崩潰機制的物理差異。由於題目設定了特定的電壓條件，考生必須掌握兩種崩潰現象的電壓分界臨界值，才能在相似的專有名詞中排除干擾項。
正確答案：①累增崩潰
① 累增崩潰:28V 稽納二極體的崩潰電壓遠高於 6V，其內部主導機制為累增崩潰（雪崩崩潰），由載子在高電場下撞擊游離產生連鎖倍增效應所致。
錯誤選項解析
- ② 稽納崩潰:稽納崩潰主要發生於低崩潰電壓（約 5V 以下）的二極體，28V 已遠超出此機制的適用範圍，故非正確答案。
- ③ 隧道效應:隧道效應是低電壓稽納崩潰的量子物理原理，適用於重摻雜的 PN 接面，與 28V 高電壓條件無關。
- ④ 熱跑脫效應:熱跑脫效應屬於溫度升高導致漏電流增加的破壞性現象，並非二極體的正常崩潰機制，兩者概念不同。
Learning Tip
"本題核心考點為稽納二極體崩潰機制的電壓分界：低於約 5V 以稽納崩潰（隧道效應）為主，高於約 7V 以累增崩潰（撞擊游離）為主，介於 5~7V 之間則兩者共存。實務上市售「稽納二極體」僅為統稱，高電壓型實際運作原理為雪崩效應，此為檢定常考陷阱。"
學員答題分佈
①累增崩潰0%
②稽納崩潰0%
③隧道效應0%
④熱跑脫效應0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！
