Q18.
MOSFET 由於輸入阻抗高，受靜電打穿其絕緣層（SiO 2）之可能性比JFET 來得
電力電子 · 乙級 · 零組件認識與使用 · Q18
難易度分析
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本題要求對比兩種場效電晶體的閘極結構差異及其對電壓耐受度的影響，屬於基本元件特性之比較分析。
正確答案：①大
① 大:MOSFET 的閘極與通道之間由極薄的 SiO₂ 絕緣層 隔離，此氧化層厚度通常僅數十至數百埃（Å），當靜電累積的高壓施加於閘極時，極易造成 介電崩潰（Dielectric Breakdown），因此受靜電打穿的機率確實比 JFET 來得大。
錯誤選項解析
- ② 小:此說法錯誤。JFET 的閘極採 PN 接面 反向偏壓操作，接面本身具有較高的耐壓能力；而 MOSFET 的 SiO₂ 絕緣層更薄且無放電路徑，實際風險更高而非更小。
- ③ 相等:兩者結構原理不同，MOSFET 依賴絕緣閘極、JFET 依賴 PN 接面，靜電敏感度並不相當。MOSFET 因絕緣層極薄，靜電防護要求遠高於 JFET。
- ④ 不一定:此題有明確的物理依據。MOSFET 輸入阻抗 雖高（可達 10⁹~10¹² Ω），但正因其絕緣閘極結構，靜電電荷無法洩放，導致 閘極氧化層擊穿 的風險是確定性較高，並非不一定。
Learning Tip
"本題核心考點為 MOSFET 靜電敏感度（ESD Sensitivity） 與 閘極氧化層保護。實務上操作 MOSFET 元件時，必須嚴格遵守 防靜電規範（如佩戴接地手環、使用防靜電包裝），因 SiO₂ 層一旦被擊穿即造成 永久性損壞，且此類故障通常無法修復。需注意 MOSFET 與 JFET 的閘極結構差異：前者為絕緣閘極（Insulated Gate），後者為 PN 接面閘極，此為兩者靜電耐受度不同的根本原因。"
學員答題分佈
①大0%
②小0%
③相等0%
④不一定0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！