Q79.
下列關於肖特基二極體（Schottky diode）之敘述，哪些正確？
電力電子 · 乙級 · 電子學 · Q79
難易度分析
4 / 5
本題採複數選擇形式，要求對元件的物理結構、載子傳導機制、電壓特性及頻率響應等多項專業知識點進行全面判別，分析維度較多，難度較單選題高。
正確答案 (複選)：①, ②, ③
- ① 沒有空乏區:肖特基二極體採用金屬-半導體接面結構，相較於傳統 PN 接面二極體，其空乏區極薄，在實務上常被描述為「沒有空乏區」或「空乏區可忽略」，此為其低導通電壓的物理基礎。
- ② 單載子元件:肖特基二極體屬於單載子（多數載子）元件，僅依賴多數載子（如 N 型半導體中的電子）導電，不涉及少數載子的注入與復合機制，因此無少數載子儲存效應。
- ③ 導通電壓低，約0.3V:由於金屬-半導體接面的位障電位（barrier potential）較低，肖特基二極體的順向導通電壓約為 0.2V～0.3V，遠低於矽 PN 接面二極體的 0.7V，適合低電壓整流應用。
錯誤選項解析
- ④ 切換速度慢，不適用50kHz 以上:此敘述完全相反。肖特基二極體因無少數載子儲存時間，切換速度極快，廣泛應用於高頻整流（如開關電源、DC-DC 轉換器），工作頻率可達 MHz 等級，遠高於 50kHz。
Learning Tip
"本題核心考點為肖特基二極體與 PN 接面二極體的結構差異。常考陷阱包括：(1) 混淆單載子與雙載子元件特性；(2) 誤認肖特基二極體切換速度慢（實際極快）；(3) 忽略其逆向漏電流較大的缺點。實務上，肖特基二極體常用於高頻開關電源與低電壓整流電路，選型時需同時考量導通電壓與逆向耐壓（PIV）之取捨。"
學員答題分佈
①沒有空乏區0%
②單載子元件0%
③導通電壓低，約0.3V0%
④切換速度慢，不適用50kHz 以上0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！