Q39.
下列關於二極體逆向飽和電流之敘述，哪些正確？
電力電子 · 乙級 · 裝備測試與檢修 · Q39
難易度分析
4 / 5
本題採複選形式，要求對多項物理特性及其量化關係有精確掌握。由於需同時判定面積相關性、溫度變化倍數及不同材質的特性差異，且包含易混淆的正反比邏輯，整體判別難度較單選題高。
正確答案 (複選)：①, ③
- ① 其為少數載子的流動所產生:逆向飽和電流是由 PN 接面中少數載子（P 區的電子與 N 區的電洞）在逆向偏壓下漂移流動所產生，此為二極體的基本物理特性。
- ③ 溫度每上升10℃，逆向飽和電流就加倍:溫度效應對逆向飽和電流影響顯著，經驗法則指出溫度每上升 10℃，逆向飽和電流約增加一倍，此為半導體元件的重要熱特性。
錯誤選項解析
- ② 其大小與接面面積成反比:逆向飽和電流大小與接面面積成正比而非反比，因為較大的接面面積會提供更多少數載子參與漂移運動，使電流增大。
- ④ 矽的逆向飽和電流比鍺大:鍺二極體的逆向飽和電流（約 μA 等級）遠大於矽二極體（約 nA 等級），因為鍺的能隙較小，更容易產生少數載子。
Learning Tip
"本題核心考點為二極體逆向特性與溫度效應。常考陷阱包括：混淆接面面積與電流的正比關係，以及誤記矽與鍺的逆向電流大小比較。實務上，逆向飽和電流雖小但會隨溫度急遽增加，是設計高溫電路時必須考量的漏電因素。"
學員答題分佈
①其為少數載子的流動所產生0%
②其大小與接面面積成反比0%
③溫度每上升10℃，逆向飽和電流就加倍0%
④矽的逆向飽和電流比鍺大0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！