Q9.
下圖之符號為下列何種電路圖符號？
數位電子 · 乙級 · 電機電子識圖 · Q9
難易度分析
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此題屬於電路符號辨識題型，需結合視覺圖像資訊與專業元件知識進行判斷。考點在於區分多種功率半導體元件（如 GTO、IGBT 等）之間細微的符號差異，屬於基礎概念與專業符號記憶的結合，對元件結構特徵的精確辨識能力要求較高。
正確答案：①GTO
① GTO:GTO（Gate Turn-Off Thyristor，閘極可關斷晶閘管）的電路符號特徵為在一般 SCR 晶閘管 的閘極（Gate）端加上可關斷的標記符號，其外觀類似 SCR 但閘極引線具有雙向控制之意涵，代表可藉由負向閘極電流使其關斷。
錯誤選項解析
- ② IGBT:IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣閘極雙極性電晶體） 的符號特徵為具有 MOSFET 的絕緣閘極（閘極與通道間有間隙）搭配 BJT 的集極/射極 結構，符號外觀類似 BJT 但閘極為絕緣式，與圖中符號不同。
- ③ SIT:SIT（Static Induction Transistor，靜電感應電晶體） 屬於 JFET 的垂直結構 衍生元件，其符號特徵為具有汲極（Drain）、源極（Source）與閘極（Gate），且通道為垂直走向，與 GTO 的晶閘管結構完全不同。
- ④ SITH:SITH（Static Induction Thyristor，靜電感應晶閘管） 又稱 場控晶閘管（Field-Controlled Thyristor），其符號結構與 GTO 不同，SITH 具有三個端子（陽極、陰極、閘極）且閘極控制方式為場效應原理，符號外觀與圖示不符。
Learning Tip
"本題核心考點為 功率半導體元件的電路符號辨識。GTO 與 SCR 的符號差異在於 GTO 的閘極具有可關斷特性標記；而 IGBT 結合了 MOSFET 的高輸入阻抗與 BJT 的低導通損失，符號上可從絕緣閘極辨識。常考陷阱為混淆 GTO、IGBT、SIT、SITH 四種功率元件的符號特徵，建議熟記各元件的結構原理：GTO 屬電流控制型、IGBT 屬電壓控制型、SIT/SITH 屬場控型元件。"
學員答題分佈
①GTO0%
②IGBT0%
③SIT0%
④SITH0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！
