Q54.
下列敘述何者錯誤？
電腦軟體應用 · 乙級 · 電腦概論 · Q54
難易度分析
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本題要求考生精確區分多種半導體記憶體的物理特性與運作機制，需將多組相似概念（如功耗、抹除方式、結構）進行對比分析，具有一定的辨析度。
正確答案：①動態隨機存取記憶體（DRAM）消耗功率比靜態隨機存取記憶體（SRAM）大
① 動態隨機存取記憶體（DRAM）消耗功率比靜態隨機存取記憶體（SRAM）大:DRAM 使用電容儲存電荷，需定期刷新（Refresh），但整體消耗功率實際上比 SRAM 小；SRAM 由正反器構成，持續供電維持狀態，功耗反而較大，故此敘述錯誤。
錯誤選項解析
- ② SRAM 乃由正反器（Flip-Flop）構成基本記憶單元:SRAM 的基本記憶單元確實由 正反器（Flip-Flop） 構成，利用正反器的雙穩態特性儲存 0 或 1，無需刷新即可維持資料，此敘述正確。
- ③ 可程式唯讀記憶體（PROM）只能讓使用者自行規劃、並燒錄程式一次:PROM（可程式唯讀記憶體） 出廠時為空白，使用者僅能透過燒錄器進行一次性寫入，燒錄後無法修改，此敘述正確。
- ④ 可抹除可程式唯讀記憶體（EPROM）中所寫入之程式，能夠用紫外線照射將之抹除:EPROM 封裝頂部設有石英視窗，可透過紫外線照射使浮動閘極的電荷洩放，達到抹除資料的目的，此敘述正確。
Learning Tip
"本題考點為半導體記憶體分類與特性。常考陷阱在於混淆 DRAM 與 SRAM 的功耗比較：DRAM 雖需刷新電路，但單元結構簡單（1電容+1電晶體），整體功耗低於 SRAM；SRAM 每個細胞需 4~6 個電晶體構成正反器，待機功耗較大。另需區分 ROM 系列：PROM（一次燒錄）、EPROM（紫外線抹除）、EEPROM（電氣抹除）的差異為高頻考點。"
學員答題分佈
①動態隨機存取記憶體（DRAM）消耗功率比靜態隨機存取記憶體（SRAM）大0%
②SRAM 乃由正反器（Flip-Flop）構成基本記憶單元0%
③可程式唯讀記憶體（PROM）只能讓使用者自行規劃、並燒錄程式一次0%
④可抹除可程式唯讀記憶體（EPROM）中所寫入之程式，能夠用紫外線照射將之抹除0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！