Q54.
能以電性方式(加反向電壓)抹除儲存資料之唯讀記憶體，其英文簡稱為
電腦硬體裝修 · 乙級 · 裝修及控制應用 · Q54
難易度分析
2 / 5
此題屬於基礎術語辨識題，要求考生必須掌握各類記憶體（ROM、RAM、EEPROM 等）的核心定義與技術特性，並能精準區分記憶體的揮發性與抹除方式。
正確答案：②EEPROM
② EEPROM:EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）可透過施加反向電壓以電性方式抹除資料，並支援位元層級的個別寫入，為本题所述之元件。
錯誤選項解析
- ① ROM:ROM（唯讀記憶體）出廠後資料即固定，無法以電性方式抹除或改寫，僅能讀取。
- ③ DRAM:DRAM（動態隨機存取記憶體）屬於揮發性記憶體，斷電後資料即消失，並非唯讀記憶體，也不具備以電壓抹除的特性。
- ④ SRAM:SRAM（靜態隨機存取記憶體）同樣為揮發性記憶體，利用正反器儲存資料，速度快但成本高，與可電性抹除的唯讀記憶體無關。
Learning Tip
"本題核心在於區分各類記憶體的可抹除性與揮發性。常考陷阱為混淆 EPROM（需紫外線抹除）與 EEPROM（電性抹除）。實務上 EEPROM 常用於儲存 BIOS 設定或微控制器韌體，而 Flash Memory 則為 EEPROM 的改良型，以區塊為單位進行抹除。"
學員答題分佈
①ROM0%
②EEPROM0%
③DRAM0%
④SRAM0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！