Q451.
避免過度暴露於極低頻電磁場，可採取下列哪些方法？
職業安全衛生管理 · 乙級 · 專業課程 · Q451
難易度分析
3 / 5
需要同時掌握四項ELF‑EMF防護原則，且須辨識全部為正確選項，認知要求較單選題高。
正確答案 (複選)：①, ②, ③, ④
- ① 減少輻射源:減少輻射源是從源頭控制極低頻電磁場暴露的根本方法，透過降低設備輸出功率或移除不必要的電磁輻射設備，可有效減少工作場所的電磁場強度。
- ② 屏蔽磁場輻射量:屏蔽磁場輻射量是利用高導磁率材料（如矽鋼片、坡莫合金）或導電材料阻隔電磁場傳播路徑，使磁力線繞道而行，為工程控制中常見的防護措施。
- ③ 抵銷電磁場以減量:抵銷電磁場以減量是透過產生反向磁場與原電磁場相互抵消，利用向量疊加原理降低淨電磁場強度，屬於主動式防護技術。
- ④ 減少暴露時間:減少暴露時間是依據時間-劑量關係原理，縮短勞工處於高電磁場環境的時數，以降低累積暴露量，屬於行政管理控制手段。
錯誤選項解析
Learning Tip
"本題考點為極低頻電磁場（ELF-EMF）防護策略的四大原則：源頭控制、路徑阻隔、場域抵消與時間管理。實務上應依危害控制層級優先採用工程控制（屏蔽、抵銷），再輔以行政管理（縮短暴露時間）。常考陷阱為混淆游離輻射與非游離輻射的防護差異，極低頻電磁場屬非游離輻射，不具足夠能量使原子游離，但仍需依勞工安全衛生設施規則採取適當防護。"
學員答題分佈
①減少輻射源0%
②屏蔽磁場輻射量0%
③抵銷電磁場以減量0%
④減少暴露時間0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！