Q53.
增強型MOSFET（E-MOSFET）之洩極與源極
視聽電子 · 丙級 · 音響檢修 · Q53
難易度分析
2 / 5
本題屬於基礎概念記憶題，僅需理解增強型MOSFET在無外部偏壓時的結構特性即可選出答案，不涉及複雜的推論或多重條件分析。
正確答案：②不通
② 不通:E-MOSFET的結構特性決定了當閘源電壓為零時，汲極與源極之間沒有導電通道，呈現斷路狀態。必須施加足夠的閘極臨界電壓（Vth）才會形成反轉層通道使兩者導通。
錯誤選項解析
- ① 相通:增強型MOSFET在閘極未施加偏壓（Vgs=0）時，汲極與源極之間不存在導電通道，因此並非相通。此特性與空乏型MOSFET（D-MOSFET）具有預設通道的情況不同。
- ③ 視通道種類而定:無論N通道或P通道的增強型MOSFET，在零偏壓狀態下汲源極均為不通，此特性由增強型結構本質決定，與通道極性種類無關。
- ④ 視材質種類而定:不論是矽（Si）、碳化矽（SiC）或氮化鎵（GaN）等半導體材質，增強型MOSFET的「零偏壓時汲源極不通」為基本操作原理，與材質選擇無關。
Learning Tip
"本題核心考點為增強型MOSFET與空乏型MOSFET的結構差異。E-MOSFET為「常斷（Normally-OFF）」元件，需Vgs>Vth才導通；D-MOSFET為「常通（Normally-ON）」元件，預設即有通道。實務檢修時，若量測到MOSFET的D-S極在斷電狀態下呈現短路，代表元件已擊穿損壞。"
學員答題分佈
①相通0%
②不通0%
③視通道種類而定0%
④視材質種類而定0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！