Q120.
當電晶體溫度增加時，則基射極電壓
視聽電子 · 丙級 · 音響檢修 · Q120
難易度分析
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本題屬於基礎概念記憶型題目，僅需掌握半導體元件在溫度變化下的基本物理特性即可快速判定，不涉及複雜計算或多層級推論。
正確答案：①減少
① 減少:基射極電壓 VBE 具有負溫度係數，溫度每升高 1°C，VBE 約下降 2mV。這是因為溫度升高會增加少數載子濃度，使得在相同電流下所需的順向偏壓降低。
錯誤選項解析
- ② 增加:VBE 不會隨溫度升高而增加。PN 接面的順向電壓特性是溫度越高、導通所需電壓越低，此選項與半導體物理特性相反。
- ③ 先增加後減少:VBE 與溫度的關係是單調遞減，不存在先增後減的非線性轉折點。在電晶體正常工作溫度範圍內，VBE 持續隨溫度上升而線性下降。
- ④ 不變:VBE 並非恆定值，其對溫度變化非常敏感。實務電路設計必須考慮溫度補償，否則會導致工作點漂移，影響放大器穩定性。
Learning Tip
"本題核心考點為 BJT 溫度特性與 VBE 負溫度係數（約 -2mV/°C）。常考陷阱是與 ICBO（反向飽和電流） 混淆——ICBO 隨溫度指數增加，而 VBE 隨溫度線性減少。實務上此特性會造成熱跑脫（Thermal Runaway）現象，設計功率放大電路時必須加入溫度補償電路或負回授來穩定工作點。"
學員答題分佈
①減少0%
②增加0%
③先增加後減少0%
④不變0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！