Q164.
二極體反向偏壓時，空乏區寬度會
視聽電子 · 丙級 · 音響檢修 · Q164
難易度分析
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本題屬於基礎定義的記憶型考題，僅需理解半導體接面在不同偏壓下的物理狀態即可快速判定，不涉及複雜的推論或計算。
正確答案：①變大
① 變大:當二極體施加反向偏壓時，P型區的電洞被拉向負極、N型區的電子被拉向正極，使多數載子遠離PN接面，導致空乏區寬度增加。此為二極體反向偏壓的基本半導體物理特性。
錯誤選項解析
- ② 不變:空乏區寬度會隨外加偏壓而改變，並非固定不變。只有在零偏壓（無外加電壓）時，空乏區才維持由內建電位決定的平衡寬度。
- ③ 不一定:二極體在反向偏壓下空乏區寬度必定變大，這是明確的半導體物理現象，並非不確定。只有在溫度劇烈變化或材料缺陷等特殊情況下才可能產生微小差異，但基本趨勢不變。
- ④ 變小:空乏區寬度變小發生於順向偏壓時，此時多數載子被推向PN接面，使空乏區縮窄。此選項將順向與反向偏壓的效果混淆。
Learning Tip
"此題核心考點為PN接面偏壓特性與空乏區寬度變化的關係。常考陷阱為混淆順向偏壓（空乏區變窄、導通）與反向偏壓（空乏區變寬、截止）的效果。實務檢修時，理解此原理有助於判斷二極體是否正常運作，以及分析稽納二極體（Zener Diode）在崩潰區的特殊行為。"
學員答題分佈
①變大0%
②不變0%
③不一定0%
④變小0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！