下列何者為快速恢復二極體的逆向恢復時間？

儀表電子 · 甲級 · 零組件知識 · Q4

10ns 以下

200ns～5μs

5μs～20μs

20μs～100μs

2 / 5

單選題、需辨識快速恢復二極體的典型逆向恢復時間，其他選項對應不同二極體類型。

② 200ns～5μs:快速恢復二極體 (Fast Recovery Diode)的逆向恢復時間典型範圍為200ns～5μs，透過摻金或鉑等複合中心技術縮短少數載子壽命，適用於高頻切換電源與SMPS電路。

① 10ns 以下:10ns 以下的逆向恢復時間屬於肖特基二極體 (Schottky Diode)的特性，其利用金屬-半導體接點實現極高速切換，但耐壓較低。
③ 5μs～20μs:5μs～20μs屬於一般整流二極體 (Standard Rectifier Diode)的恢復時間範圍，其未經過特殊高速化處理，僅適用於低頻整流場合。
④ 20μs～100μs:20μs～100μs為低頻大功率整流二極體的特性，恢復時間過長會在高頻應用中產生嚴重的逆向回復損耗與EMI 干擾。

"快速恢復二極體與肖特基二極體的恢復時間範圍為儀表電子檢定常考重點，兩者易混淆。實務上選擇時需考量耐壓等級、順向壓降 (VF)與切換頻率的平衡；在開關電源 (SMPS)設計中，若誤用一般整流二極體將導致元件過熱與效率大幅下降。"

①10ns 以下0%

②200ns～5μs0%

③5μs～20μs0%

④20μs～100μs0%

此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！