Q14.
在一定電流下，溫度每升高1℃時，矽二極體兩端壓降的變化約為下列何者？
儀表電子 · 甲級 · 零組件知識 · Q14
難易度分析
2 / 5
此題為基礎概念回憶型，只有一個正確答案，沒有複雜計算或多重判斷，難度屬於較易層級。
正確答案：③－2mV
③ －2mV:矽二極體在固定電流下，溫度每升高 1℃，其順向壓降約下降 2mV，此為半導體 PN 接面的基本物理特性，源於本質載子濃度隨溫度升高而增加。
錯誤選項解析
- ① ＋2mV:矽二極體的順向電壓具有負溫度係數特性，溫度升高時壓降會下降而非上升，故＋2mV 的方向錯誤。
- ② ＋4mV:此選項不僅極性錯誤（應為負值），且數值也不正確，矽二極體的溫度係數約為每度 2mV 而非 4mV。
- ④ －4mV:雖然方向正確（負值），但數值過大，矽二極體的標準溫度係數為 －2mV/℃，而非 －4mV/℃。
Learning Tip
"本題核心考點為矽二極體的負溫度係數特性（約 －2mV/℃）。常考陷阱在於混淆鍺二極體（約 －2mV/℃ 但起始壓降不同）與矽元件的差異，或將齊納二極體的溫度補償特性混為一談。實務上此特性常用於溫度感測電路設計，也是偏壓電路穩定度分析的重要基礎。"
學員答題分佈
①＋2mV0%
②＋4mV0%
③－2mV0%
④－4mV0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！