Q15.
在一定電流下，溫度每升高1℃時，矽電晶體的V BE 變化約為下列何者？
儀表電子 · 甲級 · 零組件知識 · Q15
難易度分析
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本題測試學生對矽晶體管 V_BE 負溫度係數的基礎知識，需記憶單一數值，選項清晰，無需複雜推理或圖像辨識，故屬於基礎難度。
正確答案：①－2mV
① －2mV:矽電晶體的基極-射極電壓 (V_BE) 具有負溫度係數特性，在固定偏壓電流下，溫度每升高 1℃，V_BE 約下降 －2mV，此為半導體物理的標準溫度漂移特性。
錯誤選項解析
- ② －4mV:－4mV 的數值過大，不符合矽元件 V_BE 的實際溫度漂移量，正確的溫度係數應為約 －2mV/℃。
- ③ ＋2mV:＋2mV 為正溫度係數，但矽電晶體的 V_BE 實際上是隨溫度升高而降低，屬於負溫度係數元件。
- ④ ＋4mV:＋4mV 同時存在方向錯誤（應為負值）與數值錯誤，矽電晶體 V_BE 的溫度係數固定為約 －2mV/℃。
Learning Tip
"本題核心考點為矽半導體 V_BE 的負溫度係數特性。在儀表電子與類比電路設計中，此特性會直接影響偏壓電路的熱穩定性，常考陷阱為混淆正負號或與其他元件（如稽納二極體的正溫度係數）搞混。實務上需特別注意熱飄移補償電路的設計，以維持儀量測精度。"
學員答題分佈
①－2mV0%
②－4mV0%
③＋2mV0%
④＋4mV0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！
