Q79.
對於DRAM 的敘述，下列哪些正確？
儀表電子 · 甲級 · 嵌入式系統概論與應用及程式設計 · Q79
難易度分析
3 / 5
此題為多選，需同時辨識 DRAM 的存儲單元、成本與速度特性，並排除與 SRAM 混淆的誤區，因而屬於中等難度。
正確答案 (複選)：①, ③
- ① 以極間電容為儲存單元:DRAM 的基本儲存原理是利用 MOS 電容 的充電與放電狀態來代表邏輯 1 與 0，每個儲存單元由一個 電晶體 和一個 電容器 組成（1T1C 結構），電容的電荷會隨時間流失，因此需要定期 刷新（Refresh） 以維持資料。
- ③ 單位價格低:由於 DRAM 每個儲存單元僅需 一個電晶體搭配一個電容器，結構簡單且佔用晶片面積小，在相同容量下製造成本遠低於需要六個電晶體的 SRAM，因此 單位價格（每 bit 成本）較低。
錯誤選項解析
- ② 密度低:此敘述錯誤。DRAM 因採用簡單的 1T1C 儲存單元架構，在相同晶片面積下可容納更多位元，因此具有 高記憶體密度 的特性，而非密度低。這也是 DRAM 能作為大容量主記憶體的主要原因。
- ④ 速度較SRAM 快:此敘述錯誤。SRAM 採用 正反器（Flip-Flop） 架構，無需刷新且存取時間短，速度明顯快於 DRAM。DRAM 需要額外的 刷新週期 與 行列位址選通 程序，導致存取延遲較大。
Learning Tip
"DRAM 與 SRAM 的比較 為嵌入式系統常考重點：SRAM 速度快但密度低、價格高，常用於 快取記憶體（Cache）；DRAM 密度高、價格低但需刷新，常用於 主記憶體（Main Memory）。注意勿將兩者的速度、密度、成本特性混淆，且需理解 DRAM 的 動態刷新機制 是其與 SRAM 最核心的差異。"
學員答題分佈
①以極間電容為儲存單元0%
②密度低0%
③單位價格低0%
④速度較SRAM 快0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！