Q85.
對於DRAM 及SRAM 的敘述，下列哪些正確？
儀表電子 · 甲級 · 嵌入式系統概論與應用及程式設計 · Q85
難易度分析
3 / 5
題目屬於多選，需要判斷每條敘述真偽，並辨識常見混淆點；不涉及計算或複雜推理。
正確答案 (複選)：②, ③, ④
- ② DRAM 使用量較SRAM 大的原因是成本低:DRAM 因採用簡單的 1T1C 儲存單元結構，製程複雜度較低且單位容量成本遠低於 SRAM，故廣泛用作系統主記憶體（Main Memory），使用量遠大於 SRAM。
- ③ DRAM 與SRAM 皆屬揮發性記憶體:DRAM 與 SRAM 均屬於揮發性記憶體（Volatile Memory），需持續供電才能維持資料，斷電後所有儲存內容皆會遺失，此特性與 Flash 等非揮發性記憶體不同。
- ④ DRAM 需要更新(Refresh)，SRAM 則否:DRAM 利用電容儲存電荷來表示資料，因電容存在漏電流現象，必須定期執行刷新（Refresh）操作以維持資料正確性；SRAM 以正反器電路鎖存資料，只要持續供電即無需刷新。
錯誤選項解析
- ① DRAM 的位元密度低於SRAM:DRAM 的位元密度實際上高於 SRAM。DRAM 每個儲存位元僅需 1 個電晶體搭配 1 個電容（1T1C 結構），而 SRAM 每個位元需 6 個電晶體組成正反器（Flip-Flop），因此 DRAM 在相同晶片面積下可容納更多位元。
Learning Tip
"本題核心考點為 DRAM 與 SRAM 的結構差異與特性比較。常見陷阱為混淆兩者的位元密度高低——切記 DRAM 結構更簡單、密度更高、成本更低，但需要刷新電路；SRAM 速度快但成本高，通常用作 CPU 快取記憶體（Cache）。實務上系統架構會同時使用兩者以兼顧速度與容量需求。"
學員答題分佈
①DRAM 的位元密度低於SRAM0%
②DRAM 使用量較SRAM 大的原因是成本低0%
③DRAM 與SRAM 皆屬揮發性記憶體0%
④DRAM 需要更新(Refresh)，SRAM 則否0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！