Q89.
下列關於BJT 與MOSFET 的敘述，何者為正確？
電力電子 · 甲級 · 電子學 · Q89
難易度分析
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此題包含三項正確陳述，需掌握 BJT 與 MOSFET 在飽和區之轉導特性，並能區分線性、平方根與指數關係，排除常見誤解。
正確答案 (複選)：①, ②, ④
- ① BJT 之轉導(transconductance,g m)隨偏流增加而線性上升:BJT 的轉導 gm = Ic/VT，其中集極電流 Ic 與偏流成正比，因此 gm 隨偏流增加而線性上升，此為 BJT 的基本特性。
- ② MOSFET 之轉導gm 隨偏流增加而上升:MOSFET 在飽和區的轉導 gm = √(2·Kn·Id)，與偏流 Id 的平方根成正比，故 gm 隨偏流增加而上升（非線性關係）。
- ④ MOSFET 之轉導gm 隨V GS 增加而直線上升:MOSFET 在飽和區的轉導 gm = Kn·(VGS - Vth)，與過驅動電壓 (VGS - Vth) 呈線性關係，故 gm 隨 VGS 增加而直線上升。
錯誤選項解析
- ③ BJT 之轉導g m 隨V BE 增加而呈指數上升:BJT 的集極電流 Ic 隨 VBE 呈指數關係（Ic = Is·e^(VBE/VT)），但轉導 gm = Ic/VT 是隨 Ic 線性變化，而非隨 VBE 呈指數上升。
Learning Tip
"本題核心考點為 BJT 與 MOSFET 轉導 gm 的定義與偏壓關係。常見陷阱：BJT 的 Ic 對 VBE 是指數關係，但 gm 對 Ic 是線性關係；MOSFET 的 gm 對 VGS 是線性，但 對 Id 是平方根關係。實務設計偏壓電路時，需依據 gm 特性選擇合適的工作點以達到所需的電壓增益。"
學員答題分佈
①BJT 之轉導(transconductance,g m)隨偏流增加而線性上升0%
②MOSFET 之轉導gm 隨偏流增加而上升0%
③BJT 之轉導g m 隨V BE 增加而呈指數上升0%
④MOSFET 之轉導gm 隨V GS 增加而直線上升0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！
