Q21.
下列何者之存取速度最快？
電力電子 · 甲級 · 程式設計與微電腦應用 · Q21
難易度分析
2 / 5
此題僅考核對記憶體類型及其速度排序的基礎知識，題目結構簡單，沒有隱含陷阱，屬於易於掌握的考題。
正確答案：④SRAM
④ SRAM:SRAM（靜態隨機存取記憶體）採用正反器（Flip-Flop）電路儲存資料，無需 Refresh 動作，存取速度為四者中最快，廣泛應用於 CPU 快取記憶體（Cache）。
錯誤選項解析
- ① EPROM:EPROM（可抹除可規劃唯讀記憶體）屬於非揮發性記憶體，需以紫外線照射方式抹除資料，其存取速度遠低於隨機存取記憶體（RAM），主要用於韌體儲存。
- ② EEPROM:EEPROM（電氣可抹除可規劃唯讀記憶體）雖可透過電氣信號進行抹寫，但仍屬非揮發性記憶體，讀取速度慢於 SRAM 與 DRAM，常用於儲存系統設定參數。
- ③ DRAM:DRAM（動態隨機存取記憶體）利用電容儲存電荷來記錄資料，需定期進行Refresh 動作以防止資料流失，因充放電時間導致其存取速度慢於 SRAM。
Learning Tip
"記憶體存取速度排序為：SRAM > DRAM > EEPROM > EPROM。此類題型常考 SRAM 與 DRAM 的架構差異：SRAM 使用正反器（速度快但成本高、密度低），DRAM 使用電容（需 Refresh、速度較慢但成本低、密度高）。實務上 SRAM 用於高速快取，DRAM 用於主記憶體，需特別留意兩者的應用場景區別。"
學員答題分佈
①EPROM0%
②EEPROM0%
③DRAM0%
④SRAM0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！