Q24.
下列敘述何者錯誤？
電力電子 · 甲級 · 程式設計與微電腦應用 · Q24
難易度分析
3 / 5
此題聚焦於記憶體類型及其速度與揮發性特徵，考察學生能否準確辨識 SRAM 與 DRAM 的差異，並排除含有錯誤陳述的選項。
正確答案：②SRAM 存取速度較DRAM慢
② SRAM 存取速度較DRAM慢:此敘述錯誤。SRAM 採用正反器架構，無需電容刷新，存取速度實際上比 DRAM 更快，但成本較高且密度較低，故常用於 CPU 快取記憶體。
錯誤選項解析
- ① RAM 為揮發性元件:RAM 確實為揮發性記憶體，斷電後資料會遺失，此敘述正確。常見於電腦主記憶體與微控制器的資料暫存區。
- ③ SRAM 存取速度較DRAM 快:SRAM 因使用正反器儲存資料，不需要定期刷新，存取速度確實較 DRAM 快，此敘述正確。
- ④ ROM 為非揮發性元件:ROM 屬於非揮發性記憶體，斷電後資料仍能保留，常用於儲存韌體與開機程式，此敘述正確。
Learning Tip
"本題考點為記憶體分類與特性。SRAM 速度快但成本高，用於快取；DRAM 需定期電容刷新，速度較慢但密度高，用於主記憶體。常考陷阱在於混淆兩者的速度比較與應用場景，切記 揮發性 與 非揮發性 的區別也是高頻考點。"
學員答題分佈
①RAM 為揮發性元件0%
②SRAM 存取速度較DRAM慢0%
③SRAM 存取速度較DRAM 快0%
④ROM 為非揮發性元件0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！