Q6.
功率場效電晶體(MOSFET)之閘極輸入可視為一極微量之
電力電子 · 甲級 · 電力電子系統與應用 · Q6
難易度分析
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題目要求確認 MOSFET 閘極輸入的等效元件類型，主要考察對 MOSFET 結構與基本電性特徵的理解。由於題目僅涉及單一概念，且選項之間差異明顯，考生僅需回憶基礎知識即可解答，難度屬於較易範疇。
正確答案：②電容
② 電容:MOSFET 閘極與通道之間隔有二氧化矽(SiO₂)絕緣層，形成閘極寄生電容(Ciss)，故其輸入端等效為一微量電容，此為電壓控制元件的核心特性。
錯誤選項解析
- ① 電感:MOSFET 閘極結構由多晶矽閘極與氧化層組成平行板電容架構，不具備線圈或導體迴路特性，因此不會呈現電感性質。
- ③ 電阻:閘極絕緣層的直流電阻極高(可達10⁹Ω以上)，幾乎無直流電流流入，因此不能視為電阻；其主要交流特性由寄生電容主導。
- ④ 電流源:MOSFET 屬於電壓控制元件，閘極驅動依靠電容充放電建立閘源電壓(Vgs)，而非依靠注入電流控制，與BJT電流控制特性截然不同。
Learning Tip
"MOSFET 閘極電容效應為電力電子常考重點，需區分輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)與反向傳輸電容(Crss)。實務設計閘極驅動電路時，必須考慮電容充放電所需的峰值驅動電流與開關損耗，此為選擇驅動IC的關鍵參數。"
學員答題分佈
①電感0%
②電容0%
③電阻0%
④電流源0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！