Q91.
有關場效電晶體(FET)之敘述，何者有誤？
電力電子 · 甲級 · 電子學 · Q91
難易度分析
4 / 5
題目為多選，需同時判斷兩項錯誤敘述，考察對場效電晶體與雙極晶體管基本特性的完整理解，並區分輸入阻抗、控制方式與載子類型，故難度評為4。
正確答案 (複選)：②, ④
- ② 輸入阻抗極低:此敘述錯誤。FET 的輸入阻抗極高（可達 10⁹~10¹⁵ Ω），因為閘極與通道之間由氧化層絕緣（MOSFET）或逆向偏壓 PN 接面（JFET）隔離，幾乎無閘極電流流入。
- ④ 場效電晶體(FET)屬於電流控制元件:此敘述錯誤。FET 屬於電壓控制元件，由閘源極電壓 V_GS 控制通道導通程度；而BJT 才是電流控制元件，由基極電流 I_B 控制集極電流。
錯誤選項解析
- ① 場效電晶體(FET)只有多數載子移動:FET 為單極性元件，導通時僅依賴多數載子（電子或電洞）的漂移運動，不涉及少數載子的擴散與復合過程，因此切換速度較快且雜訊較低。
- ③ 場效電晶體(FET)適合用在積體電路設計:MOSFET 結構簡單且功耗低，佔用晶片面積小，非常適合大規模積體電路（如 CMOS 製程）設計，是現代 VLSI 的核心元件。
Learning Tip
"本題考點為 FET 與 BJT 的特性比較。常考陷阱：① FET = 電壓控制、高輸入阻抗、多數載子、單極性；② BJT = 電流控制、低輸入阻抗、多數+少數載子、雙極性。注意題目問「何者有誤」時，需選出敘述錯誤的選項，勿與「何者正確」混淆。"
學員答題分佈
①場效電晶體(FET)只有多數載子移動0%
②輸入阻抗極低0%
③場效電晶體(FET)適合用在積體電路設計0%
④場效電晶體(FET)屬於電流控制元件0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！