Q53.
與矽二極體(silicon diode)相較，對肖特基二極體(Schottky diode)之敘述以下何者有誤？
電力電子 · 甲級 · 電力電子系統與應用 · Q53
難易度分析
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題型為單選，需判斷四項敘述中哪一項不符合肖特基二極體的特性。題目內容屬於基礎電子概念，沒有額外計算或多重概念交叉，故屬於簡易類別。
正確答案：④反向回復(reverse recovery)時間較長
④ 反向回復(reverse recovery)時間較長:肖特基二極體因無少數載子復合問題，其反向回復時間極短（幾乎可忽略），遠短於矽二極體，故「反向回復時間較長」為錯誤敘述。
錯誤選項解析
- ① 較低之導通壓降(on-state voltage):肖特基二極體利用金屬-半導體接面形成蕭基位障，其導通壓降約 0.2~0.3V，明顯低於矽二極體的 0.6~0.7V，此為正確敘述。
- ② 較低反向崩潰電壓(reverse breakdown voltage):肖特基二極體因金屬-半導體接面特性，其反向崩潰電壓通常僅 20~100V，遠低於矽 PN 接面二極體可達數千伏特，此為正確敘述。
- ③ 切換(switching)速度較快:肖特基二極體為多數載子元件，無少數載子儲存效應，因此切換速度極快，適用於高頻整流電路，此為正確敘述。
Learning Tip
"本題核心考點為肖特基二極體與矽二極體的特性差異。常考陷阱在於混淆反向回復時間的長短關係：肖特基二極體因屬多數載子導電機制，無少數載子儲存電荷，故反向回復時間極短，適合應用於高頻切換電源（如 SMPS 輸出整流）。另需注意肖特基二極體雖有低導通壓降與高速優點，但漏電流較大且耐壓較低，實務選型需依電路規格取捨。"
學員答題分佈
①較低之導通壓降(on-state voltage)0%
②較低反向崩潰電壓(reverse breakdown voltage)0%
③切換(switching)速度較快0%
④反向回復(reverse recovery)時間較長0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！