Q42.
有關增強型金氧半場效電晶體的特性，下列何者錯誤？
數位電子 · 甲級 · 電子學與電子電路 · Q42
難易度分析
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問題設定只需判別哪一敘述不符，需掌握通道類型與基板材料的對應。選項其餘皆為正確描述，唯一誤導在於通道類型的錯誤對應，屬於典型單選考題。
正確答案：①用P 型材料做基體，再擴散出兩個材料做汲（D）極及源極（S），這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體
① 用P 型材料做基體，再擴散出兩個材料做汲（D）極及源極（S），這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體:此敘述錯誤。使用 P 型基板並擴散兩個 N 型區域所形成的是 N 通道 MOSFET，而非 P 通道；P 通道應使用 N 型基板並擴散 P 型區域。選項將通道類型與基板材料的對應關係混淆，故為本題正確答案。
錯誤選項解析
- ② 閘極與基體、汲極或源極絕緣:此敘述正確。MOSFET 的閘極透過 SiO₂ 氧化層與基體、汲極及源極完全絕緣，此為金氧半結構的核心特徵，也是實現高輸入阻抗的關鍵設計。
- ③ 當V G S=0V 時ID=0:此敘述正確。增強型 MOSFET 屬於 常閉型（Normally-OFF） 元件，當 V_GS = 0V 時通道尚未形成，因此 I_D = 0，必須施加超過臨界電壓 V_TH 的閘源電壓才能導通。
- ④ 輸入阻抗比接合型場效電晶體為高:此敘述正確。MOSFET 因閘極有氧化層絕緣，輸入阻抗可達 10¹² Ω 以上，遠高於 JFET（接合型場效電晶體） 的 10⁸~10⁹ Ω 量級，故 MOSFET 更適合用於高阻抗輸入級電路。
Learning Tip
"增強型 MOSFET 與 空乏型 MOSFET 的導通條件差異為常考重點：增強型 V_GS=0 時截止，空乏型 V_GS=0 時導通。另需注意 N 通道與 P 通道的基板材料對應關係——N 通道用 P 基板、P 通道用 N 基板，此為易混淆陷阱。實務上 MOSFET 的 ESD 防護極為重要，因閘極氧化層極薄，靜電即可造成永久性破壞。"
學員答題分佈
①用P 型材料做基體，再擴散出兩個材料做汲（D）極及源極（S），這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體0%
②閘極與基體、汲極或源極絕緣0%
③當V G S=0V 時ID=00%
④輸入阻抗比接合型場效電晶體為高0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！