Q186.
有關外質半導體，下列敘述何者正確？
視聽電子 · 乙級 · 電子學 · Q186
難易度分析
3 / 5
此題為複選題型，要求考生必須全面掌握半導體摻雜後的類型判斷、載子特性以及電中性原理。選項中包含對雜質價數與半導體類型對應關係、多數與少數載子定義，以及整體電荷平衡的細節辨析，需具備精確的基礎概念才能避免選項間的邏輯誤導。
正確答案 (複選)：②, ③
- ② 外質半導體本身之電性仍屬電中性:外質半導體雖經摻雜產生多數與少數載子，但整體原子核的正電荷數與電子負電荷數仍相等，故整體維持電中性。
- ③ N 型半導體之多數載子為自由電子:N 型半導體摻入五價雜質，提供額外的自由電子，因此多數載子為自由電子，少數載子為電洞。
錯誤選項解析
- ① 將三價雜質元素摻入本質半導體中，以形成N 型半導體:將三價雜質元素（如硼、銦）摻入本質半導體中會形成 P 型半導體，而非 N 型；N 型半導體需摻入五價雜質元素（如磷、砷）。
- ④ P 型半導體之少數載子為電洞:P 型半導體的多數載子為電洞，少數載子為自由電子；此選項將多數與少數載子顛倒。
Learning Tip
"此題核心考點為摻雜半導體的載子特性與電中性原理。常考陷阱：①三價雜質→P 型（多子為電洞）、五價雜質→N 型（多子為自由電子），切勿混淆；②外質半導體虽有載子濃度差異，但整體仍為電中性；③無論 P 型或 N 型，少數載子濃度隨溫度升高而增加，此為熱平衡特性。"
學員答題分佈
①將三價雜質元素摻入本質半導體中，以形成N 型半導體0%
②外質半導體本身之電性仍屬電中性0%
③N 型半導體之多數載子為自由電子0%
④P 型半導體之少數載子為電洞0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！