Q152.
經濟型數控系統常用的有後備電池法和採用非易失性記憶體，如晶片內帶鋰電池的隨機記憶體為
升降機裝修 · 乙級 · 電機部份 · Q152
難易度分析
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本題考查對數控系統記憶體硬體特性的基本定義辨識。考生需能精確區分隨機記憶體與唯讀記憶體在儲存機制上的差異，以及電池供電與電氣擦寫兩種非易失性技術的不同，屬於基礎概念的直接應用。
正確答案：②NVRAM
② NVRAM:NVRAM（Non-Volatile RAM，非易失性隨機存取記憶體）是在 SRAM 晶片內整合鋰電池，當外部電源中斷時依靠電池供電維持資料不遺失，完全符合題目描述的技術特性。
錯誤選項解析
- ① EEPROM:EEPROM（電可擦除可程式化唯讀記憶體）是透過電氣信號進行資料擦除與寫入，無需內建電池即可保持資料，與題目所述「帶鋰電池的隨機記憶體」特性不符。
- ③ FLASHROM:FLASHROM（快閃記憶體）屬於 EEPROM 的改良型，以區塊方式進行擦寫，本身即具備非易失性，不需要內建電池來維持資料。
- ④ EPROM:EPROM（可擦除可程式化唯讀記憶體）需透過紫外線照射進行擦除，且為唯讀性質，不屬於隨機記憶體，亦無內建電池設計。
Learning Tip
"本題核心考點為非易失性記憶體的分類與特性。常考陷阱在於混淆 NVRAM（電池供電型） 與 EEPROM/FLASH（電氣擦除型） 的差異。實務上，數控系統（CNC）的刀具補正參數與座標原點設定常儲存於 NVRAM 中，當電池電壓不足時會導致參數流失，故定期更換後備電池為重要維護項目。另需注意 FLASHROM 已廣泛應用於現代數控系統，逐步取代傳統 NVRAM 設計。"
學員答題分佈
①EEPROM0%
②NVRAM0%
③FLASHROM0%
④EPROM0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！