Q18.
下列對任一電晶體之崩潰電壓(BV)的敘述何者為正確？
儀表電子 · 乙級 · 零組件知識 · Q18
難易度分析
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本題要求對比三種不同接面條件下的崩潰電壓數值關係，需精確區分不同端子開路時的電壓特性，且選項中存在極易混淆的對比組合，屬於需要精確掌握理論概念才能正確判別的題目。
正確答案：④BVC BO＞BVCE O
④ BVC BO＞BVCE O:BVCBO（集極-基極崩潰電壓，射極開路）大於 BVCEO（集極-射極崩潰電壓，基極開路），因為基極開路時漏電流經電流增益 β 放大，使 BVCEO 降低，此為正確關係。
錯誤選項解析
- ① BVE BO＞BV C BO:BVEBO（射極-基極崩潰電壓）通常為三者中最小，因為射極摻雜濃度高導致接面崩潰電壓較低，不可能大於 BVCBO。
- ② BVE BO＞BV CE O:BVEBO 是崩潰電壓中最低的，而 BVCEO 因電晶體電流增益效應會使崩潰電壓降低，但仍高於 BVEBO，故此敘述錯誤。
- ③ BVCE O＞BVC BO:BVCEO 因基極開路時的電流增益放大效應，其崩潰電壓會低於 BVCBO，而非高於，此為常見混淆點。
Learning Tip
"崩潰電壓大小關係為 BVCBO > BVCEO > BVEBO，此為電晶體核心考點。常考陷阱在於混淆 BVCEO 與 BVCBO 的大小關係，切記基極開路時電流增益效應會使崩潰電壓下降。實務設計電路時需確保工作電壓低於 BVCEO 以避免元件損壞。"
學員答題分佈
①BVE BO＞BV C BO0%
②BVE BO＞BV CE O0%
③BVCE O＞BVC BO0%
④BVC BO＞BVCE O0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！