Q35.
在室溫附近的矽二極體，溫度上升20℃，反向飽和電流變為原來的幾倍？
儀表電子 · 乙級 · 零組件知識 · Q35
難易度分析
3 / 5
此題要求將半導體物理的溫度係數概念轉化為數值計算，需精確掌握電流隨溫度上升的指數級增長規律，而非單純的線性增加。
正確答案：④4
④ 4:矽二極體的反向飽和電流約每升高10℃增加一倍，上升20℃即為2的2次方等於4倍，符合半導體物理的溫度係數特性。
錯誤選項解析
- ① 0.25:反向飽和電流隨溫度上升而增加，0.25倍表示電流減少，與溫度效應的物理特性相反。
- ② 0.5:0.5倍對應溫度下降約10℃的情況，題目為溫度上升20℃，方向與數值均不正確。
- ③ 2:2倍是溫度上升10℃時的變化倍率，矽二極體的反向飽和電流約每10℃增加一倍，本題為20℃故非此值。
Learning Tip
"此類題型常考矽二極體反向電流與溫度的指數關係。切記每10℃翻倍，20℃為4倍、30℃為8倍，勿與順向電壓降的負溫度係數（約-2mV/℃）混淆。實務設計溫度補償電路時必須考量此特性以避免元件熱失控。"
學員答題分佈
①0.250%
②0.50%
③20%
④40%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！