Q88.
如下圖電路所示，忽略VBE (s at)及VC E(s at)、和I C BO 的影響，其電路飽和的條件為何？
儀表電子 · 乙級 · 電子學 · Q88
難易度分析
3 / 5
此題要求對電晶體工作狀態的數學條件進行精確區分，考生需掌握飽和區與主動區在電阻關係上的差異，且必須在多個形式相似的不等式中選出正確的驅動條件。
正確答案：④
④ :RB ≤ βRc 為正確答案。在固定偏壓電路中，當忽略 VBE(sat) 與 VCE(sat) 時，飽和條件為 IB ≥ IC(sat)/β，推導可得 RB ≤ βRc，此時電晶體進入飽和區，VCE ≈ 0。
:RB ≤ βRc 為正確答案。在固定偏壓電路中，當忽略 VBE(sat) 與 VCE(sat) 時，飽和條件為 IB ≥ IC(sat)/β，推導可得 RB ≤ βRc，此時電晶體進入飽和區，VCE ≈ 0。錯誤選項解析
- ①
:Rc ≤ βRb 忽略了射極電阻 RE 的影響，此電路為射極偏壓電路，飽和條件必須考慮 RE 對集極電流的限制作用。 - ②
:(Rc + RE) ≤ βRb 將負載電阻與射極電阻相加後與 βRb 比較，但正確的飽和條件應是 基極電阻 RB 與 β(Rc + RE) 的關係，此式方向顛倒。 - ③
:RB ≤ β(Rc + RE) 雖然形式接近正確答案，但此為主動區的工作條件，而非飽和區條件；飽和時需要更大的基極電流驅動，故 RB 應更小。
Learning Tip
"此題考電晶體飽和條件的判斷。常考陷阱在於混淆主動區與飽和區的電阻關係：主動區需 RB > βRc，而飽和區需 RB ≤ βRc。實務上，設計開關電路時需確保電晶體完全飽和，故基極電阻 RB 必須足夠小以提供足夠的基極驅動電流。"
學員答題分佈
①0%
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0%此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！