Q115.
IC 內的電晶體製造時，何者的雜質濃度最高？
儀表電子 · 乙級 · 電子學 · Q115
難易度分析
2 / 5
本題考查元件內各區域的摻雜濃度定義，屬於基礎概念的記憶型題目。只要掌握半導體元件的結構特性，即可直接判斷出正確選項，不具備複雜的推論過程或陷阱。
正確答案：③射極
③ 射極:射極的雜質濃度最高，這是為了確保在順向偏壓下能注入大量的多數載子至基極，提高射極注入效率，這是 BJT 設計的核心原則。
錯誤選項解析
- ① 集極:集極的雜質濃度並非最高，其摻雜濃度通常為中等程度，主要功能是收集從基極過載的載子，濃度過高會降低崩潰電壓。
- ② 基極:基極的雜質濃度實際上是最輕的區域之一，目的是減少載子複合，使多數載子能順利穿過到達集極，濃度若過高會降低電流增益值 (β)。
- ④ 基底:基底（Substrate）的雜質濃度通常較低，主要作為支撐與隔離之用，濃度過高會增加寄生電容並影響元件的隔離特性。
Learning Tip
"本題考點為 BJT 三區域摻雜濃度分佈：射極 (E) > 集極 (C) > 基極 (B)。常考陷阱是將「物理尺寸最大」的集極誤認為濃度最高，實際上集極面積大是為了散熱與提高崩潰電壓，而非濃度考量。實務上射極的高摻雜設計直接影響 β 值與開關速度，是 IC 製程中的關鍵參數。"
學員答題分佈
①集極0%
②基極0%
③射極0%
④基底0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！