Q140.
下列敘述何者錯誤？
儀表電子 · 乙級 · 電子學 · Q140
難易度分析
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本題考查電晶體基礎特性的辨析，選項涵蓋元件導電機制、控制方式及製程特性等核心概念，屬於基礎知識的對比應用，無複雜推論或陷阱。
正確答案：①MOSFET 係雙載子元件
① MOSFET 係雙載子元件:此敘述錯誤。MOSFET 屬於單載子元件（Unipolar Device），僅依靠多數載子（電子或電洞其中之一）導電；而雙載子元件指的是 BJT，同時利用電子與電洞兩種載子參與導電。
錯誤選項解析
- ② MOSFET 在IC 的製程較BJT 電晶體簡單:此敘述正確。MOSFET 的 IC 製程確實比 BJT 簡單，因 MOSFET 不需要隔離井（Isolation Well）且元件結構較單純，有利於高集成度與微縮化。
- ③ 在IC 的製造時常以電晶體取代負載電阻:此敘述正確。在 IC 製造中，製作大阻值電阻會佔用極大晶片面積，因此常以 MOSFET 作為主動負載（Active Load）取代傳統電阻，此為 IC 設計的標準做法。
- ④ MOSFET 係電壓控制元件:此敘述正確。MOSFET 是電壓控制元件，透過閘極電壓（V_GS）控制通道導通，閘極輸入阻抗極高，幾乎不吸取電流；而 BJT 才是電流控制元件。
Learning Tip
"本題核心考點為 MOSFET 與 BJT 的基本特性差異。常考陷阱包括：①混淆單載子（MOSFET、JFET）與雙載子（BJT）的定義；②搞混電壓控制（MOSFET）與電流控制（BJT）的驅動方式；③忽略 IC 製程中「以電晶體取代被動元件」的面積經濟考量。實務上，CMOS 技術能成為主流正是因為 MOSFET 具備製程簡單、功耗低、易於微縮等優勢。"
學員答題分佈
①MOSFET 係雙載子元件0%
②MOSFET 在IC 的製程較BJT 電晶體簡單0%
③在IC 的製造時常以電晶體取代負載電阻0%
④MOSFET 係電壓控制元件0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！