Q102.
關於空乏型N 通道MOSFET 的敘述，下列何者敘述錯誤？
儀表電子 · 乙級 · 電子學 · Q102
難易度分析
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本題考查元件基本定義與操作特性的對比，需精確掌握載子類型、臨界電壓正負以及初始導通狀態等核心概念，屬於基礎知識考查。
正確答案：③主要載體為電洞
③ 主要載體為電洞:N通道MOSFET 的命名即代表其多數載子為電子（Electrons）而非電洞；P通道MOSFET 的多數載子才是電洞，此敘述將載子類型混淆，故為錯誤選項。
錯誤選項解析
- ① 可當空乏型使用，亦可當增強型使用:空乏型MOSFET具有雙重操作特性：當 V_GS < 0 時工作於空乏模式（通道載子被排斥而電流減小），當 V_GS > 0 時工作於增強模式（通道載子增加而電流增大），故此敘述正確。
- ② V TN 為負電壓:空乏型N通道MOSFET在製造時通道已存在，需施加負閘極電壓才能使通道空乏，因此其臨界電壓 V_TN 為負值，此敘述正確。
- ④ VG S=0V 時，通道會導通:空乏型MOSFET與增強型不同，其在 V_GS = 0V 時通道已預先形成，因此會有汲極電流 I_DSS 流過，通道處於導通狀態，此敘述正確。
Learning Tip
"N通道與P通道的多數載子類型為電子學檢定常考核心：N通道多數載子為電子，P通道為電洞，切勿混淆。另需區分空乏型（V_GS=0時通道已存在、V_TN為負）與增強型（V_GS=0時無通道、V_TN為正）的結構差異與操作特性，此為MOSFET題型的高頻考點。"
學員答題分佈
①可當空乏型使用，亦可當增強型使用0%
②V TN 為負電壓0%
③主要載體為電洞0%
④VG S=0V 時，通道會導通0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！