Q26.
MOSFET 做放大器動作時，其工作點範圍應在
電力電子 · 乙級 · 電子學 · Q26
難易度分析
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本題考查 MOSFET 不同工作區域的功能定義，需能準確區分放大電路與開關電路所需的元件狀態。由於 MOSFET 與 BJT 的區域術語定義存在差異，考生需具備明確的元件特性辨析能力以避免混淆。
正確答案：①飽和區
① 飽和區:MOSFET 作為放大器使用時，必須偏置於飽和區（Saturation Region），此時汲極電流主要由閘源極電壓控制，與汲源極電壓幾乎無關，呈現電壓控制電流源特性，能提供良好的線性放大效果。
錯誤選項解析
- ② 歐姆區:歐姆區（又稱三極體區或線性區）中，MOSFET 表現為電壓控制電阻特性，主要應用於開關電路或類比開關，不適合用於放大，因為此區域的輸出特性曲線非線性嚴重，會造成訊號失真。
- ③ 截止區:截止區中，閘源極電壓低於臨界電壓，MOSFET 處於關閉狀態，汲極電流幾乎為零，無法進行任何訊號放大操作，僅用於數位邏輯的關閉狀態。
- ④ 定電壓區:定電壓區並非 MOSFET 的標準工作區域名稱，此為BJT（雙載子電晶體）相關術語的混淆選項。MOSFET 的三個標準工作區域為截止區、歐姆區與飽和區，需明確區分MOSFET與BJT的區域定義差異。
Learning Tip
"本題核心考點為MOSFET 三工作區域的功能區別。常考陷阱在於混淆飽和區的定義——MOSFET 的飽和區對應 BJT 的主動區（均用於放大），而 MOSFET 的歐姆區才對應 BJT 的飽和區（均用於開關）。實務設計放大器時，需確保靜態工作點（Q點）穩定於飽和區中央，以避免截止失真與飽和失真。"
學員答題分佈
①飽和區0%
②歐姆區0%
③截止區0%
④定電壓區0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！