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電力電子/邏輯與數位系統/Q17
簡單
正確率 -
Q17.

快取記憶體(cache memory)係由下列何種記憶體組成?

電力電子 · 乙級 · 邏輯與數位系統 · Q17

難易度分析

2 / 5

本題考查基礎記憶體元件的特性與對應用途,僅需掌握各類記憶體的基本定義即可快速判定,不含複雜陷阱或綜合分析。

正確答案:②SRAM

② SRAM:SRAM(靜態隨機存取記憶體)以正反器(Flip-Flop)電路儲存資料,無需刷新且存取速度極快,因此被廣泛用作 CPU 快取記憶體(L1/L2/L3 Cache)的組成元件。

錯誤選項解析

  • ① DRAM:DRAM(動態隨機存取記憶體)利用電容儲存電荷來保存資料,需定期刷新(Refresh),存取速度較慢,主要用於主記憶體(Main Memory)而非快取。
  • ③ EPROM:EPROM(可抹除可程式化唯讀記憶體)屬於非揮發性記憶體,需以紫外線照射才能抹除資料,主要用於韌體(Firmware)儲存,不適用於需要高速讀寫的快取。
  • ④ EEPROM:EEPROM(電氣可抹除可程式化唯讀記憶體)雖可電氣方式抹寫,但仍屬非揮發性記憶體,寫入速度慢且擦寫次數有限,常用於 BIOS 設定儲存等場合,不適合做快取。
Learning Tip

"本題核心考點為各類記憶體的特性與應用場景。常考陷阱在於混淆 SRAM 與 DRAM 的差異:SRAM 速度快、成本高、用於快取;DRAM 密度高、成本低、用於主記憶體。另需留意 ROM 系列(EPROM/EEPROM/Flash) 皆為非揮發性,寫入速度遠慢於 RAM,不適用於快取層級。"

學員答題分佈

①DRAM0%
②SRAM0%
③EPROM0%
④EEPROM0%

此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析!

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