LONGEPASS
Q28.

下列哪些記憶體屬於非揮發性記憶元件?

電力電子 · 乙級 · 程式設計與微電腦應用 · Q28

難易度分析

3 / 5

本題要求區分不同類型的記憶體特性,且採複選制,必須全面掌握各選項的物理特性才能正確作答,增加了判別難度。

正確答案 (複選):①, ②

  • ① ROM:ROM(唯讀記憶體)在斷電後仍能保留資料,其內部以熔絲(Fuse)或掩膜(Mask)技術儲存資訊,屬於典型的非揮發性記憶體,常用於儲存韌體與開機程式。
  • ② Flash:Flash(快閃記憶體)採用浮閘極(Floating Gate)技術,利用F-N 穿隧效應或熱電子注入進行寫入與抹除,斷電後資料不流失,廣泛應用於嵌入式系統與程式儲存。

錯誤選項解析

  • ③ DRAM:DRAM(動態隨機存取記憶體)以電容儲存電荷來表示資料狀態,需定期進行Refresh 動作以維持資料,斷電後電荷流失導致資料消失,屬於揮發性記憶體而非非揮發性。
  • ④ SRAM:SRAM(靜態隨機存取記憶體)以正反器(Flip-Flop)電路儲存資料,雖無需 Refresh 且存取速度快,但斷電後資料仍會消失,同樣屬於揮發性記憶體。
Learning Tip

"本題核心考點為揮發性與非揮發性記憶體的區分。常見陷阱在於混淆 SRAM 與 DRAM 的特性——兩者皆為揮發性,差異僅在於儲存單元架構(正反器 vs. 電容)與是否需要 Refresh。實務上,微控制器系統常搭配 Flash 儲存程式碼、SRAM 作為執行時期資料區,理解此架構有助於應對系統設計相關題型。"

學員答題分佈

①ROM0%
②Flash0%
③DRAM0%
④SRAM0%

此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析!

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