Q54.
下列何者具有最大的輸入阻抗
工業電子 · 丙級 · 電子學 · Q54
難易度分析
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考查多種常見半導體元件與電路組態之輸入阻抗特性的比較。考生需要釐清不同結構下閘極絕緣程度或電流控制機制對整體輸入端電阻造成的影響，若未徹底理解各元件之本質差異，容易在多個高阻抗選項中產生混淆。
正確答案：②MOSFET
② MOSFET:MOSFET 的閘極與通道之間由 二氧化矽絕緣層 隔離，形成電容性耦合，直流阻抗可達 10¹²~10¹⁵ Ω，是所有場效電晶體與雙載子電晶體中輸入阻抗最高的元件。
錯誤選項解析
- ① JFET:JFET 的閘極與通道之間為反向偏壓的 PN 接面，輸入阻抗約為 10⁸~10¹² Ω，雖高於一般 BJT，但因存在微小的反向漏電流，仍低於 MOSFET 的絕緣閘極結構。
- ③ 射極隨耦器:射極隨耦器（共集極組態）的輸入阻抗由 β × R_E 決定，雖比共射極組態高，但仍屬於 BJT 架構，輸入阻抗通常僅數十 kΩ 至數百 kΩ，遠低於場效電晶體。
- ④ 達靈頓放大器:達靈頓放大器 由兩顆 BJT 串接而成，輸入阻抗約為 β₁ × β₂ × R_E，雖比單顆 BJT 高很多，但本質上仍有基極電流流入，無法達到 MOSFET 絕緣閘極的超高阻抗水準。
Learning Tip
"此類題型常考 輸入阻抗大小排序：MOSFET > JFET > 達靈頓 > 射極隨耦器 > 共射極放大器。關鍵在於區分 場效電晶體（電壓控制元件） 與 雙載子電晶體（電流控制元件） 的本質差異。實務上，MOSFET 的高輸入阻抗使其非常適合用於 緩衝級 與 高阻抗訊號源 的介面電路，但需注意閘極容易因 靜電放電（ESD） 而損壞。"
學員答題分佈
①JFET0%
②MOSFET0%
③射極隨耦器0%
④達靈頓放大器0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！