Q131.
下列何者元件的輸入電阻最大？
工業電子 · 丙級 · 電子學 · Q131
難易度分析
3 / 5
本題需要考生深入理解不同半導體元件內部的物理結構與導電機制。選項中包含了多種結構相近且容易混淆的電晶體類型，必須精確掌握其閘極與通道間的隔離方式與對應的阻抗數量級差異，才能在眾多看似合理的選項中排除干擾、正確辨識出阻抗最高的元件。
正確答案：③金氧半場效電晶體
③ 金氧半場效電晶體:金氧半場效電晶體（MOSFET）的閘極與通道之間隔有 SiO₂ 絕緣氧化層，形成電容性耦合而非電流路徑，輸入電阻可高達 10⁹~10¹⁵ Ω，為三者中最大。
錯誤選項解析
- ① 雙極性電晶體:雙極性電晶體（BJT）的基極-射極接面處於順向偏壓狀態，輸入電阻通常僅落在 kΩ 等級，屬於電流控制元件，輸入阻抗相對較低。
- ② 接面型場效電晶體:接面型場效電晶體（JFET）的閘極與通道間為逆向偏壓的 PN 接面，輸入電阻可達 MΩ 至 GΩ 等級，雖高於 BJT，但仍不及金氧半場效電晶體。
- ④ 都一樣大:三種元件的輸入阻抗機制截然不同：BJT 為順向偏壓接面、JFET 為逆向偏壓接面、MOSFET 為絕緣閘極，數值差異可達數個數量級，並非相同。
Learning Tip
"本題核心考點在於比較 BJT、JFET、MOSFET 的輸入阻抗特性。常見陷阱是混淆 JFET 與 MOSFET 的閘極結構——JFET 依靠逆向偏壓 PN 接面隔離，而 MOSFET 依靠絕緣氧化層隔離，後者阻抗遠高於前者。實務上，高輸入阻抗是 FET 類元件用於阻抗匹配與緩衝放大器的關鍵優勢。"
學員答題分佈
①雙極性電晶體0%
②接面型場效電晶體0%
③金氧半場效電晶體0%
④都一樣大0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！