Q130.
場效電晶體（FET）與雙載子電晶體（BJT）相比，下列何者不是的主要優點？
工業電子 · 丙級 · 電子學 · Q130
難易度分析
3 / 5
需要同時掌握多種半導體元件的電性表現、物理結構差異以及溫度效應。選項間的細微區別在於對載子傳導機製的理解，稍有混淆即容易誤判，考查考生對元件本質特性的全盤性觀念。
正確答案：②操作速度比較快
② 操作速度比較快:BJT 的跨導（gm）通常高於 FET，且寄生電容較小，因此在相同製程條件下，BJT 的切換速度與高頻響應往往優於 FET，故「操作速度較快」並非 FET 的優點，此為本題正確答案。
錯誤選項解析
- ① 輸入阻抗極高:FET 的閘極與通道之間具有絕緣層（MOSFET 的 SiO₂）或反向偏壓的 PN 接面（JFET），使得輸入阻抗可高達 10⁹~10¹⁵ Ω，遠高於 BJT 的輸入阻抗，這確實是 FET 的核心優勢之一。
- ③ 不易受輻射的影響:FET 屬於多數載子導電元件，不依賴少數載子的擴散與復合機制，因此對游離輻射造成的少數載子干擾較不敏感，抗輻射能力確實優於 BJT。
- ④ 熱穩定度較佳:FET 的汲極電流具有正溫度係數特性，溫度升高時電流會自動下降，形成負回授效應，可有效避免熱失控（Thermal Runaway），因此熱穩定度確實優於具有負溫度係數的 BJT。
Learning Tip
"本題考點在於區分 FET 與 BJT 的特性差異。常考陷阱在於將「高輸入阻抗」與「高速度」混淆——FET 的優勢在於高輸入阻抗、低雜訊、抗輻射、熱穩定性佳，但操作速度與跨導通常不及 BJT。實務上，BJT 常用於高頻放大與高速切換電路，而 FET 則廣泛應用於高阻抗輸入級、CMOS 數位 IC 及功率開關領域。"
學員答題分佈
①輸入阻抗極高0%
②操作速度比較快0%
③不易受輻射的影響0%
④熱穩定度較佳0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！