Q408.
下列敘述何者錯誤？
視聽電子 · 丙級 · 音響檢修 · Q408
難易度分析
3 / 5
本題要求對比半導體的摻雜特性、載子組成及溫度對電阻的影響，需精確區分半導體與金屬在溫度變化下的電阻行為差異，屬於基本概念的綜合辨析。
正確答案：④矽半導體隨溫度上升，其電阻值增加
④ 矽半導體隨溫度上升，其電阻值增加:矽半導體具有負溫度係數特性，溫度上升時電子-電洞對大量增加，導致電阻值下降而非增加，故此敘述錯誤。
錯誤選項解析
- ① 在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N 型半導體:在本質半導體中摻入五價元素（如磷、砷）會提供額外自由電子，確實形成N型半導體，此敘述正確。
- ② N 型半導體的少數載子為電洞:N型半導體中多數載子為自由電子，少數載子為電洞，此敘述正確。
- ③ 本質半導體中所加入的五價元素稱為施體:五價雜質原子在半導體晶格中會捐贈電子，故稱為施體（Donor），此敘述正確。
Learning Tip
"半導體溫度特性為常考陷阱：金屬導體具正溫度係數（溫度↑電阻↑），但半導體具負溫度係數（溫度↑載子濃度↑電阻↓）。需清楚區分摻雜類型（五價→N型施體、三價→P型受體）與載子關係（N型：多數=電子、少數=電洞；P型反之）。"
學員答題分佈
①在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N 型半導體0%
②N 型半導體的少數載子為電洞0%
③本質半導體中所加入的五價元素稱為施體0%
④矽半導體隨溫度上升，其電阻值增加0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！