Q113.
矽晶體之電流增益，受溫度影響較鍺晶體
視聽電子 · 丙級 · 音響檢修 · Q113
難易度分析
2 / 5
本題考查兩種半導體材料在溫度特性上的對比，屬於基礎的概念記憶型題目，只要掌握材料能隙與熱穩定性的基本關聯即可判斷。
正確答案：②小
② 小:矽晶體的能隙（約 1.1 eV）比鍺晶體（約 0.67 eV）寬，使得矽晶體的逆向飽和電流（ICBO）隨溫度變化較小，因此其電流增益（β值）受溫度影響較鍺晶體小，熱穩定性較佳。
錯誤選項解析
- ① 大:矽晶體的能隙較寬（約 1.1 eV），其熱穩定性優於鍺晶體，因此電流增益受溫度影響應較小而非較大。此選項混淆了矽與鍺的特性。
- ③ 一樣:矽與鍺的能隙寬度不同，導致兩者的溫度特性存在顯著差異，電流增益受溫度影響的程度並不相同。鍺晶體對溫度更為敏感。
- ④ 不一定:矽晶體與鍺晶體的溫度特性是由其材料物理特性（能隙寬度）決定，屬於明確的物理規律，並非不確定。矽晶體的熱穩定性始終優於鍺晶體。
Learning Tip
"本題核心考點為半導體材料能隙與溫度穩定性之關係。切記：能隙越寬，熱穩定性越佳，故矽晶體（1.1 eV）比鍺晶體（0.67 eV）更耐高溫且電流增益漂移較小。實務上，鍺晶體因漏電流大且溫度漂移嚴重，已逐漸被矽晶體取代，僅用於特殊音響應用（如某些效果器）以追求特定音色。"
學員答題分佈
①大0%
②小0%
③一樣0%
④不一定0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！