Q1.
耦合電容比壓器(CCVT)套管內電容層為串聯分壓構造，如果內部電容元件損壞（打穿短路）其電容值
變電設備裝修 · 丙級 · 儀器使用 · Q1
難易度分析
3 / 5
本題要求考生對電容器串聯電路特性有精確理解，需將設備構造與電學基本原理相結合進行邏輯推論，屬於考查核心概念理解的典型題目。
正確答案：③會增加
③ 會增加:CCVT 內部電容層採串聯分壓構造，當某層電容元件因絕緣劣化而打穿短路時，該層等效為導線，串聯電容數量減少，依據串聯電容公式可知總電容值會增加。
錯誤選項解析
- ① 不變:串聯電容組中若有元件發生打穿短路故障，等效電容值必然改變，不可能維持不變。
- ② 會減少:串聯電容的總電容計算公式為 1/Ct = 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，當其中一層短路失效時，串聯數量減少，總電容值反而會上升而非減少。
- ④ 先增加後減少:電容元件打穿短路後，串聯層數直接減少，電容值呈單調上升趨勢，並不存在先增後減的變化過程。
Learning Tip
"CCVT 的電容分壓原理為常考重點：串聯電容中任一層短路失效會使總電容值增大，同時導致分壓比改變，影響二次側量測精度。實務上需定期執行電容值量測與絕電阻測試，及早發現劣化徵兆，避免突發故障影響保護電驛動作。"
學員答題分佈
①不變0%
②會減少0%
③會增加0%
④先增加後減少0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！