Q16.
設某一電晶體在室溫下之IC BO 為50nA，則當溫度升高10℃後，其I
之值變成下列何者？
儀表電子 · 甲級 · 零組件知識 · Q16
難易度分析
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題目要求判斷ICBO在溫升10°C時的變化，重點在於回憶該參數的溫度係數，無需複雜推理或多重概念結合，故評為簡易級。
正確答案：②100nA
② 100nA:矽質電晶體 的 ICBO（集極-基極反向飽和電流） 具有每升高 10°C 約 加倍一倍 的特性，因此 50nA × 2 = 100nA，符合半導體物理的 溫度係數法則。
錯誤選項解析
- ① 50nA:ICBO 保持 50nA 不變的說法錯誤，因為 反向飽和電流 會隨溫度升高而顯著增加，並非維持恆定。
- ③ 150nA:150nA 假設 ICBO 隨溫度呈三倍增長，但實際規律為每 10°C 翻倍而非三倍，此數值缺乏半導體物理依據。
- ④ 200nA:200nA 相當於四倍增長，需溫度升高約 20°C 才會出現（50nA → 100nA → 200nA），題目僅升高 10°C，故此答案過度估算。
Learning Tip
"ICBO 溫度效應 是儀表電子檢定的高頻考點，核心法則為「溫度每升 10°C，反向漏電流加倍」。常考陷阱包括：混淆 ICBO 與 ICEO 的溫度特性，或誤算溫升幅度對應的倍數（如 20°C 應為 4 倍而非 2 倍）。實務上此特性直接影響 電路熱穩定性 與 偏壓設計，需熟記。"
學員答題分佈
①50nA0%
②100nA0%
③150nA0%
④200nA0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！