Q19.
關於FET 之特性，下列敘述何者有誤？
電力電子 · 甲級 · 電子學 · Q19
難易度分析
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題目要求學生辨別四個敘述中唯一的錯誤，核心在於比較MOSFET與IGBT的飽和電壓差異。這需要掌握各種FET的工作原理與性能指標，屬於典型的中等難度考題。
正確答案：④大功率MOSFET 之飽和電壓較IGBT 為低
④ 大功率MOSFET 之飽和電壓較IGBT 為低:大功率MOSFET 的導通壓降由 RDS(on)×ID 決定，在高電流應用下其飽和電壓實際上高於IGBT 的 VCE(sat)，此敘述錯誤，故為本題答案。
錯誤選項解析
- ① JFET 常用於線性放大之前置級，有較佳之信號雜音比:JFET 因輸入阻抗高且雜音係數低，確實廣泛應用於線性放大前置級，能提供優異的信號雜音比(SNR)，此敘述正確。
- ② MOSFET 常見於數位IC 中，亦用於射頻放大器中:MOSFET 因具備高切換速度與低驅動功率特性，為數位IC(CMOS) 的核心元件，同時在射頻(RF)放大器中亦有廣泛應用，此敘述正確。
- ③ FET 為單載子元件，可用為壓控電阻器:FET 僅依賴多數載子導電，屬於單載子元件，且操作於歐姆區(線性區) 時可作為電壓控制電阻器(VCR) 使用，此敘述正確。
Learning Tip
"本題核心考點為FET元件特性比較與功率元件應用差異。常考陷阱在於混淆MOSFET與IGBT的飽和電壓特性：IGBT結合BJT低飽和壓降與MOSFET高輸入阻抗優點，在高功率、大電流場合具有更低的導通損失；而MOSFET優勢在於高頻切換應用。另需熟記JFET雜音特性、FET單載子導電原理及壓控電阻操作區域。"
學員答題分佈
①JFET 常用於線性放大之前置級，有較佳之信號雜音比0%
②MOSFET 常見於數位IC 中，亦用於射頻放大器中0%
③FET 為單載子元件，可用為壓控電阻器0%
④大功率MOSFET 之飽和電壓較IGBT 為低0%
此答題分佈是根據學員在 LongePass 模擬考等實際作答紀錄計算而成。與考友分享這道歷屆試題與詳細解析！